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常见半导体芯片加工工艺-广东夏阳精细陶瓷科技有限公司
来源:XYC | 作者:XYC | 发布时间: 2025-04-21 | 7 次浏览 | 分享到:
光刻广泛应用于芯片加工,但是其分辨率会受到光波长的限制。

电子束曝光( ElectronBeam Lithography, EBL) 是光刻技术的延伸应用。

电子是一种带电粒子, 其能量越高, 波长越短。 当电子的能量为100eV时,其波长仅为0.12nm,因此,电子束曝光可以获得非常高的分辨率。

,生成次级产物。

第三步,到达衬底表面的各种初级产物和次级产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。

四、聚焦离子束技术

聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)类似于聚焦电子束,都是将带电粒子经过电磁场聚焦而形成亚微米甚至纳米量级的细束,可以应用于离子束曝光和成像。

除此之外,相比于电子,离子具有大的质量。 因此,离子束可以将固体表面的原子直接溅射出来进而发展成为种广泛应用的直接加工工具。

下图为聚焦离子束系统的结构示意图:

 

FIB系统主要由离子发射源、离子光柱、样品台和真空与控制系统组成。

聚焦离子束系统主要的应用有:

(1)离子束成像

离子束照射在样品表面后会激发样品表面的二次电子和二次离子。

这些电子和离子随后被信号探测器收集然后经过处理可以显示材料表面形貌的图像。 激发的二次电子的数目不仅与样品的相貌有关还与晶体取向和样品原子质量有关。因此相比于扫描电子显微镜离子束成像可以获得更多关于样品的信息可用于分析多晶材料晶粒取向、 晶界分布和晶粒尺寸分布等。

(2)离子束刻蚀

离子束刻蚀是聚焦离子束系统最主要的功能。 ArKrXe等惰性气体电离成等离子体后然后离子束聚焦并加速轰击样品表面导致样品表面的原子被溅射出来而形成刻蚀的效果。 

离子束刻蚀过程是个纯物理过程溅射产额与离子能量、 离子种类、 离子入射角度和样品特性等因素相关。 

离子束刻蚀具有方向性好分辨率高和刻蚀材料不受限制等优点。

(3)离子束沉积 

将非活性气体分子吸附到样品表面需要沉积的区域,当离子束轰击该区域时,非活性气体分子分解产生的非挥发性物质,不会被真空系统抽走,而是沉积到了样品表面。 

离子束具有操作灵活的优点因此可以在材料表面沉积任意形状的结构。 

离子束可以沉积金属材料同时也可以沉积绝缘体材料。

 参考文献:

(1)李青云 硅和铌酸锂复合薄膜及相关光子器件的研究[D].

(2)周泽龙 投影光刻物镜偏振像差研究[D].

(3)赵磊 投影光刻物镜像质补偿策略与补偿技术研究[D].

免责声明:本内容摘自网络。

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