赵有文博士-《磷化铟单晶衬底材料的批量生产及在半导体领域的应用》（中科院半导体研究所、珠海鼎泰芯源晶体有限公司）

磷化铟是第二代半导体材料之一，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，不过磷化铟晶圆的制备技术门槛很高，因此市场参与者较少。
报告中，赵有文博士为我们讲解了磷化铟单晶生长技术和衬底制备技术的原理、发展历程和现状，以及垂直温度梯度凝固法（VGF）生长低位错磷化铟单晶的技术优势、存在的问题及面临的挑战等。
吴亮教授-《高质量、大尺寸AlN单晶生长及其应用前景展望》（上海大学，奥趋光电技术（杭州）有限公司）

氮化铝是第三代半导体材料之一，是它们之中的直接带隙中禁带宽度（6.2eV）最宽的一个，具有极为优良的光、电、声、机械性质，被成为是做传感器最好的材料。
不过AlN单晶的制备难度极大，成本也很高，因此对于商业化来说是个大挑战。报告中，吴亮教授为我们梳理了AlN单晶不同的生长路线以及影响长晶质量的各种因素，
并介绍了他们团队近年来在AlN单晶生长上取得的一些成绩，包括前后三代不同工艺的优势及不足，以及通过不同路线得到的产品的特殊用途。
张昭宇教授-《化合物半导体在光纤通信激光器上的应用现状及前景》（香港中文大学（深圳）理工学院）

光纤通信是当今最主要的有线通信方式，报告中张昭宇教授从为何选用GaAs或InP应用于光纤通信激光器出发，讨论了这两种材料相较其他光电材料本身物理化学性能的优劣以及用这两种材料制成激光器器件的难点，
并在分析目前产业走势的前提下，预估这两种材料在激光器应用上未来的几个可能发展方向，最后着重介绍硅基单片集成的材料、器件、集成等的几种解决方案。
邓丽荣博士-《3C-SiC半导体材料基因学特性与应用》（西安科技大学材料学院）

碳化硅具备多种优异性能，而在半导体领域尤其重视它的电学性能。不过碳化硅虽然具备高效率、高功率密度的优点，但成本相对比较高，相对于以往的Si材质器件功率器件，
SiC在性能与成本间的平衡以及对高工艺的需求成为了它是否能真正普及的关键。报告中，邓丽荣博士从晶体学层面分析了导致SiC结构变化的关键因素及其对性能的影响，

强调了粉体原料对生长高质量碳化硅晶体的重要性。
李雪冰博士-《高纯粉体领域颗粒检测所面临的问题和展望》（丹东百特仪器有限公司）

粉体的品质对晶体材料的品质极其重要，但由于在产业上缺乏统一的标准，人们在检测原料时不仅会因为不同检测技术上的差异而感到困惑，也会因为粉体材料在微观和宏观形态上的差异而无法判断数据是否可靠。
报告中，李雪冰博士强调了产业化产业的检验标准，不能只重视数据漂亮与否，而是要与应用端挂钩，看清真正的工艺需求是什么。
张福根博士-《国产激光粒度仪技术性能的超越式进步》（珠海真理光学仪器有限公司）

由于我国粒度仪起步较欧美国家较晚，因此很多人都会认为国产粒度仪与国际水平仍有差距，但张福根博士对此抱有不同的看法，他认为目前国产激光粒度仪对比进口激光粒度仪已毫不逊色
。报告中，张福根博士汇报了近几年真理光学在激光粒度仪上取得的一些突破性进步，并对粒度分析过程中遇到的几个难题进行解析。
冯平仓博士-《超前研发应对周期性或突发经济危机》（四川瑞驰拓维机械制造有限公司）

二氧化铈（CeO₂）是稀土元素铈中最稳定的氧化物，因具有独特的储放氧功能，以及高温化学稳定性和快速氧空位扩散能力，很适合作为性能优越的高温氧敏材料。
报告中，张扬博士对二氧化铈的重要前驱体碳酸铈的沉淀法合成过程中的反应结晶过程机制做了总结归纳，并分析了碳酸铈颗粒行程过程内部结构变化规律和关键过程影响条件。

就如张福根博士在致辞中所说的一样，虽然现在是整年最寒冷的时刻，但带来希望的春天就在不远的将来，对于我国的半导体产业来说也是如此。

中国第三代半导体产业的未来，需要各位齐心协力，每一点的进步都是帮助我国半导体行业走出寒冬的重要力

从晶体材料到晶圆，再到半导体器件，整个产业链将迎来一次爆发增长的机会

晶体生长工艺的研究，利国利民。装备的开发，势在必行。参与中国高端材料的研究以及开发需要各行各业的协同发展。你我共出一份量，虽微薄，有力必有势。

随着生产及科学技术的发展，功能晶体材料逐渐从天然晶体发展为人工晶体，对单晶的尺寸、质量和数量的需求都日益增长，尤其是半导体单晶，更是成为了继人造宝石和人工水晶后生产规模最大的商品晶体。
不过半导体领域技术壁垒高，我国多数企业仍处于自力更生的探索阶段，各家都采用自己的工艺路线，国内几大衬底

厂商各自为政，行业上并没有统一的标准，这对于行业的长期发展不一定是好事。此时适当的信息交流，不仅有利于行业的快速发展，对于新进入该领域的新兵来说，也能让他们少走一些弯路。