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2021全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛,浪漫之城完美落幕
来源: | 作者:XYC | 发布时间: 2021-01-11 | 1316 次浏览 | 分享到:
随着生产及科学技术的发展,功能晶体材料逐渐从天然晶体发展为人工晶体,对单晶的尺寸、质量和数量的需求都日益增长,尤其是半导体单晶,更是成为了继人造宝石和人工水晶后生产规模最大的商品晶体。

随着生产及科学技术的发展,功能晶体材料逐渐从天然晶体发展为人工晶体,对单晶的尺寸、质量和数量的需求都日益增长,尤其是半导体单晶,更是成为了继人造宝石和人工水晶后生产规模最大的商品晶体。

不过半导体领域技术壁垒高,我国多数企业仍处于自力更生的探索阶段,各家都采用自己的工艺路线,国内几大衬底厂商各自为政,行业上并没有统一的标准,这对于行业的长期发展不一定是好事。此时适当的信息交流,不仅有利于行业的快速发展,对于新进入该领域的新兵来说,也能让他们少走一些弯路。

2021年1月7日,全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛”在广东省珠海市盛大开幕,本届论坛由粉体圈主办,多位来自人工晶体及半导体技术领域的专家学者、企业代表出席会议。论坛共包含16个重磅报告,
报告专家通过多个角度为我们描绘了高端功能晶体领域的前景,同时也为业内企业指明了一些研发和生产的方向,
张福根博士致辞邹广田院士-《高速生长CVD金刚石单晶及其应用》(吉林大学超硬材料国家重点实验室珠海分实验室)

金刚石单晶是无与伦比的极限材料,是各种优异性能的集大成者,因此一直以来都是晶体材料中最受关注的材料之一,尤其是在半导体领域中,更被业界誉为“终极半导体”,未来有希望发展为千亿量级的市场。
报告中,邹广田院士从金刚石的各项特性出发,分析了金刚石在各个领域的应用优势,并对CVD金刚石单晶生长的关键技术做了阐述,为金刚石的未来描绘出了美好的前景。
徐永宽副院长-《关于碳化硅单晶制备技术及产业发展的几点拙见》(天津理工大学功能晶体研究院)

碳化硅单晶的优异性质(宽禁带、高导热系数、低介电常数、优异抗辐射能力)使它在电力控制用功率器件材料、高耐压的高频器件材料等方面有巨大的应用潜力,但同时也使它的生长条件变得极为苛刻,
很难长出大尺寸的优质碳化硅单晶。报告中,徐永宽院长对碳化硅单晶材料的应用领域和市场前景、碳化硅单晶材料制备工艺路线、国内外现状等进行简述,并针对碳化硅单晶材料产业发展提出自己的见解。
穆文祥博士-《宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展》(山东大学、晶体材料国家重点实验室)

氧化镓是一种能以低成本获得大尺寸、高质量、可掺杂块状单晶的超宽禁带半导体材料(4.8eV)。因此与碳化硅和氮化镓等半导体材料相比,氧化镓在更高功率的应用方面具有独特优势,
如超高压电力电子器件、射频电子发射器、深紫外光电探测器等。报告中,穆文祥博士对具备热力学稳定相的β-Ga
2O3的性能优势、单晶生长加工方法及其难点、最具前景的应用领域进行了简述。

薛冬峰教授-《功能材料多尺度结晶研发》(中科院深圳先进技术研究院)

稀土是极其重要的战略资源,能与其他材料组成性能各异、品种繁多的新型材料,比如说稀土晶体就凭借独特的发光特性成为国防和民用尖端科技领域中的关键材料质之一,
是高效利用稀土资源的重要方向。报告中,薛冬峰教授概括了稀土具备的多种特殊性能,如光、电、磁、化学等,并对其在信息技术、生物技术、能源技术等高技术领域和国防建设中的应用前景进行了简述。

王海丽教授-《闪烁体在医学检测领域中的应用》(北京中材人工晶体研究院有限公司)

闪烁晶体是一种能将Χ、γ射线或其它高能粒子的能量转变成可见光或紫外光的功能晶体材料,因此被广泛应用于高能物理、核医学成像、工业无损探伤、地质勘探和安检等领域。
报告中,王海丽教授对医用检测设备CT、PET/CT闪烁体的国内外发展现状、发展我国该类闪烁晶产业的主要任务及存在问题进行评述。总得来说,国内医用闪烁体市场相当可观,

但还需要更多的努力,争取在技术上有更多的突破。

邱明波博士-《半导体晶体材料放电加工技术研究》(南京航空航天大学)

作为下半场的第一个报告,邱明波博士为我们介绍了一种新颖的半导体加工方式——放电加工。据悉,这种加工方式能够利用电能和热能进行加工,加工时工具与工件并不接触,
而是靠工具与工件间不断产生的脉冲性火花放电,利用放电时产生局部、瞬时的高温逐步蚀除具备导电性能材料。一旦克服半导体晶体电阻率较高这个难题,该技术必能很好地应用于制备具有复杂的曲线、型面的半导体零件。

徐家跃教授-《光电晶体下降法生长及其产业化》(上海应用技术大学)

光电晶体是主要利用光电转化的功能晶体,种类很多,包括光学晶体、激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、压电晶体、闪烁晶体和磁光晶体等。
报告中,徐家跃教授为我们介绍了几种关键晶体的合成工艺(尤其是坩埚下降法)及其应用,并重点介绍了研究团队在生长工艺上的一些创新点及近年来取得的成绩。

李显坪技术副总-《99.99999%(7N)高纯砷制备技术及其应用》(扬州中天利新材料股份有限公司)

砷化镓晶体是关键的化合物半导体材料之一,它的生长需要依赖于单质砷、镓的物理化学反应,原材料纯度越高,就越能显示出材料的本征特性,
因此一般都要用
6N或7N级别的单质砷来制备。报告中,李总除了分享高纯砷的制备技术外,还介绍了超纯砷化镓粉体与晶体的制备及其在半导体领域的应用等内容。

       
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