特性：

具有半导体特性陶瓷的电阻率约为10^-5~10⁷Ω. cm,对于陶瓷材料可以通过掺杂或者使化学计量偏离而造成晶格缺陷等方法获得半导体特性。采用这种方法的陶瓷有TiO₂、

ZnO、CdS、BaTiO₃、Fe₂O₃、Cr₂O₃和SiC。半导体陶瓷的不同特点是它们的导电性随环境而变化，利用这一特性可制成各种不同类型的陶瓷敏感器件，

如热敏、气敏、湿敏、压敏、光敏等传感器。半导体尖晶石材料如Fe₃O₄,在受控的固溶体内掺人非导体尖晶石材料如MgAl2O₄、

MgCr₂O₄,和Zr2TiO₄,可用作热敏电阻,它是种可精心控制的随温度而变化的电阻装置。在ZnO中可加入Bi、Mn、Co、Cr等氧化物进行改性，

这些氧化物大都不是固溶于ZnO中，而是偏折在晶界上形成阻挡层，从而得到ZnO压敏电阻陶瓷材料,并且是压敏电阻陶瓷中性能最优的一种材料。

SiC掺杂(如掺人炭黑、石墨粉)可制备出具有高温稳定性的半导体材料，用作各种电阻加热元件，即高温电炉中的硅碳棒。控制SiC的电阻率和横截面，可达到几乎任何所希望的

操作条件(至1500℃),增加其电阻率，降低加热元件的横截面，会使产生的热量增大。硅碳棒在空气中使用时会发生氧化反应，使用温度一般限制在1600°C以下，普通型的硅碳棒的

安全使用温度为1350°C。在SiC中某一个Si原子被一个N原子替代，由于N的电子数较多，就出现过剩电子，它的能量水平紧靠在导带的下方很容易提升到导带,因此这种能态又称为施主能级,这种半

导体为n型半导体或电子导电半导体。若在SiC中用一个Al原子替代一个Si原子，由于少一个电子，所形成的物质能态紧靠在价电子带的上面，它很容易接受电子,因而被称为受

主能级，它在价电子带中留下空余的位置可能进行电子导电，因为空余位置的作用与正电荷载体相同，称它为p型半导体或空穴半导体(H .萨尔满,1989)。

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