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微电子行业所用的陶瓷基板﹐其基本性能要求是:
①高的体、表面电阻、高的绝缘抗电强度以及低的tgo和介电常数;②热稳定好、热导率高、热膨胀系数适当匹配;
③机械强度大、翘曲度小、表面粗糙度适当;④化学稳定性好、与制造电阻或导体及其浆料的相容性好
这几种材料在功率电子器件领域的应用情况如下表:
材料类型 | 性能特点 | 应用 | 不足 |
金刚石 | 介质损耗很低,且热导率很高 | 化学气相沉积(CVD)金刚石膜,是毫米波行波管特别是3mm行波管输出窗的首选材料 | 热膨胀系数很低,弹性模量很大,焊接时与一般焊料的界面能(SL)很大,从而对制成输出窗封接高质量的气密性和强度性质带来困难 |
BeO | 热导率仅次于金刚石,陶瓷成型方法多,烧结温度较低,易于金属化,封接强度较高 | 用作高热导衰减材料,BeO-SiC复合材料比AlN系性能更优 | 热导率随温度的升高下降较快(大于300℃),对高温散热不利,且BeO蒸气、粉体有害,需注意防护,且受限于原材料纯度,国内BeO陶瓷与国外有一定性能差距 |
AlN | 高热导率、二次电子发射系数特别低、热膨胀系数与 Si匹配 | 半导体低功率器件的热沉材料,功率真空电子器件输出窗的优选材 料、部分领域替代Al2O3,制备高热导率陶瓷基片、多层布线共烧基板和各种填料等 | 粉体易于水化,在流延等成型工艺时,需添加大量有机粘结剂,有环保问题;金属化和焊接技术不够成熟,封接强度较低;价格偏高,国内高端产品供应困难 |
CVD-BN | 在现有可用的陶瓷材料中,具有最大的抗电击穿强度;非常低的介电常数;热导率不随温度变化 | 功率真空电子器件输出窗,电子器件封接材料等 | 制造工艺困难,陶瓷易于分层,密度不够均匀和各向异性突出;在封接结构设计时要缜密考虑各向异性引起材料性质的差异;制造设备较贵 |
SiC | 高纯度单晶体的热导率仅次于金刚石,热膨胀系数与Si接近,抗弯强度很大 | SiC-BeO基板可得到近似BeO陶瓷的热导率和较大体积电阻率,绝缘强度低,介电常数和介质耗损大,故比较适合于低压电路散热基板以及LED等散热基板上 | 若不加任何烧结助剂,需要很高的烧结温度,介电常数大,介质损耗大,介电强度小 |
Si3N4 | 热导率较高,高抗热震性、高抗氧化性 | 陶瓷基板作为高速电路和大功率器件散热和封接材料 | 国内基板流延技术和金属化技术还不太成熟 |
在功率电子器件中,除了需要应用陶瓷基的高热导率的材料作基板外,也需要应用金属基的高热导率的材料作管壳。
目前,常用的这类材料有W-Cu和Mo-Cu合金,SiCp/Al复合材料,高Si-Al复合材料以及金刚石/Cu和金刚石/Al复合材料等。
其中,纯Al、Cu和Ag等虽然具有优异的导热性能,然而它们的较高热膨胀系数很难与半导体器件相匹配;以Kovar合金为代表的膨胀合金,虽然膨胀系数与半导体器件匹配较好,
但其热导率却较低,密度也较高;W、Mo和随后发展的W/Cu、Mo/Cu具有优良的热导率和机械性能,但是它们相对较高的密度、相对昂贵的价格等缺点也限制了其发展应用。
随着现代封装技术对封装材料的要求提高,材料的复合化已成为封装材料发展的必然趋势,因此,现在电子封装更倾向于采用金属基复合材料。通常以陶瓷(如AIN、BeO、
si、SiC、Diamond等)为增强体材料,以金属(如Al、Cu、Ag等)为基体材料制备的高性能复合材料,综合吸收各组元性能的优点,甚至产生新的优异性能,而成为代替传统电子封装材料的最佳选择。
几种典型金属基合金和复合材料性能对比
在各种金属基复合材料中,最先引进关注并得到大力发展的是高体分比SiCp-Al复合材料。一方面由于SiCp本身具有优良的物理性能,
另一方面则是因为SiCp作为磨料的市场已经非常成熟,价格较低。这种复合材料具有热导率高、质量轻、强度大、膨胀系数可调等优点,
不足之处是机械加工和焊接性能不如人意。由于高Si-Al复合材料这两点性能较好,故现今在某些领域中已有部分取代前者的实例。
另一个热点方向就是金刚石-Cu等复合材料,正作为第三代热管材料而大力研究开发。金刚石室温导热率是已知实用材料中的最高者,
特别适合于作为超大规模集成电路的热沉材料。但因其热膨胀系数大大低于常用半导体材料的热膨胀系数,将金刚石与Cu、Ag、Al等复合,
可实现散热、膨胀匹配和低成本的三者良好结合。然而目前还有不少问题:金刚石与金属的浸润性差;金刚石与金属的界面结合差;金刚石与金属的界面热阻效应大;复合材料烧结密度低,孔隙率大等。
功率器件几乎用于所有的电子制造业,目前其应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车),扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域。
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